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IC Datasheet頻道、中國(guó)IC資料網(wǎng)

IXFQ30N60X Datasheet

IC型號(hào)：
IXFQ30N60X
PDF描述：
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
文件大小：
186.00KB
PDF頁(yè)數(shù)：
6頁(yè)

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

IXFQ30N60X 產(chǎn)品屬性

現(xiàn)有數(shù)量
5現(xiàn)貨660Factory
價(jià)格
1 : ￥62.09000管件
系列
HiPerFET?, Ultra X
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類(lèi)型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
155 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 4mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
2270 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-3P
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3

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型號(hào)

版本

描述

廠(chǎng)商

下載
IXFQ26N60P

英文版

N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rat...

IXYS [IXYS...

IXFQ26N60P
IXFQ30N60X

英文版

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

IXFQ30N60X
IXFQ50N60P...

英文版

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

IXFQ50N60P3
IXFQ60N50P...

英文版

MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

IXFQ60N50P3
IXFQ94N30P...

英文版

MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P

IXFQ94N30P3

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