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IXFL34N100 Datasheet

  • IXFL34N100

  • HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Ba...

  • 2頁(yè)

  • IXYS   IXYS

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HiPerFET
TM
Power MOSFETs
IXFL 34N100 V
DSS
= 1000 V
30 A
I
D25
=
ISOPLUS264
ISOPLUS264
TM
(Electrically Isolated Backside)
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t
rr
Preliminary Data Sheet
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
V
ISOL
Weight
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS
I
ISOL
鈮?/div>
1 mA
t = 1 min
t=1s
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, Note 1
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
I
S
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
T
J
鈮?/div>
150擄C, R
G
= 2
鈩?/div>
T
C
= 25擄C
Maximum Ratings
1000
1000
鹵20
鹵30
30
136
34
64
4
5
550
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
3000
5
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
擄C
擄C
擄C
擄C
V~
V~
g
Features
G = Gate
E = Emitter
ISOPLUS-264
TM
R
DS(on)
= 0.28
鈩?/div>
G
C
E
(TAB)
C = Collector
Tab = Collector
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Advantages
Easy assembly
Space savings
High power density
98932 (7/02)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
1000
2.5
V
5.0 V
鹵100
nA
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
100
碌A(chǔ)
2 mA
0.28
鈩?/div>
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 3mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8mA
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= I
T
Note 1
漏 2002 IXYS All rights reserved

IXFL34N100 產(chǎn)品屬性

  • 25

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HiPerFET™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 1000V（1kV）

  • 30A

  • 280 毫歐 @ 30A，10V

  • 5V @ 8mA

  • 380nC @ 10V

  • 9200pF @ 25V

  • 550W

  • 通孔

  • ISOPLUS264?

  • ISOPLUS264?

  • 管件

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HIPERFET Power MOSFTETs
    IXYS
  • 英文版
    HIPERFET Power MOSFTETs
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 14A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 24A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Ba...
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    HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Ba...
    IXYS [IXYS...
  • 英文版
    MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264

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