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IXFH26N50Q Datasheet

  • IXFH26N50Q

  • HiPerFET Power MOSFETs

  • 4頁

  • IXYS   IXYS

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HiPerFET
TM
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q
g
, High dv/dt
V
DSS
IXFH/IXFT 24N50Q
IXFH/IXFT 26N50Q
I
D25
R
DS(on)
0.23
鈩?/div>
0.20
鈩?/div>
500 V
24 A
500 V
26 A
t
rr
鈮?/div>
250 ns
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
T
L
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
= 25擄C to 150擄C
T
J
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Continuous
Transient
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C, Note 1
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
T
C
= 25擄C
I
S
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
,
T
J
鈮?/div>
150擄C, R
G
= 2
鈩?/div>
T
C
= 25擄C
24N50
26N50
24N50
26N50
24N50
26N50
Maximum Ratings
500
500
鹵20
鹵30
24
26
96
104
24
26
30
1.5
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
J
V/ns
W
擄
C
擄
C
擄
C
擄
C
Nm/lb.in.
g
g
TO-247 AD (IXFH)
(TAB)
TO-268 (D3) (IXFT) Case Style
G
S
(TAB)
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
Features
l
l
l
l
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247
TO-268
Test Conditions
300
1.13/10
6
4
IXYS advanced low Q
g
process
International standard packages
Low R
DS (on)
Symbol
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
500
2.5
4.5
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
24N50Q
26N50Q
25
1
0.23
0.20
V
V
nA
碌A
mA
鈩?/div>
鈩?/div>
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
Fast switching
l
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4 mA
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 I
D25
Note 2
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
漏 2001 IXYS All rights reserved
98512G (5/01)

IXFH26N50Q 產品屬性

  • 30

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • HiPerFET™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 500V

  • 26A

  • 200 毫歐 @ 13A，10V

  • 4.5V @ 4mA

  • 95nC @ 10V

  • 3900pF @ 25V

  • 300W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247AD

  • 管件

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