鈼?/div>
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
500
3.0
V
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, >500kHz switching
鈼?/div>
DC choppers
鈼?/div>
Pulse generation
鈼?/div>
Laser drivers
Advantages
鈼?/div>
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 1mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8mA
V
GS
=
鹵20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 鈥?I
D25
Note 1
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
5.0 V
鹵200
nA
100
碌A(chǔ)
5 mA
55 m鈩?/div>
鈼?/div>
鈼?/div>
PLUS 264
TM
package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
漏 2002 IXYS All rights reserved
DS98958 (10/02)
IXFB80N50Q2 產(chǎn)品屬性
25
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET - 單
HiPerFET™
MOSFET N 通道，金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)型
500V
80A
60 毫歐 @ 500mA，10V
5.5V @ 8mA
250nC @ 10V
15000pF @ 25V
960W
通孔
TO-264-3，TO-264AA
PLUS264?
管件
IXFB80N50Q2相關(guān)型號(hào)PDF文件下載
-
型號(hào)
版本
描述
廠商
下載
-
英文版
850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
-
英文版
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
-
英文版
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
-
英文版
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
-
英文版
HiPerFET Power MOSFET Q-Class
IXYS [IXYS...
-
英文版
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
-
英文版
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
-
英文版
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXYS [IXYS...
-
英文版
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
-
英文版
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
-
英文版
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
-
英文版
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
-
英文版
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
-
英文版
HiPerFET TM Power MOSFETs
-
英文版
-
英文版
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
-
英文版
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
1
2
