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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

IXBN75N170A Datasheet

IC型號：
IXBN75N170A
PDF描述：
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
文件大小：
91.89KB
芯片廠家：
IXYS [IXYS Corporation]

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

IXBN75N170A 產(chǎn)品屬性

標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
類別
半導(dǎo)體模塊
家庭
IGBT
系列
BIMOSFET™
IGBT 類型
-
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1700V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
6V @ 15V，42A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
75A
電流 - 集電極截止（最大）
50µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
7.4nF @ 25V
功率 - 最大
625W
輸入
標(biāo)準(zhǔn)型
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

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型號

版本

描述

廠商

下載
IXBN75N170...

英文版

BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXYS [IXYS...

IXBN75N170A

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