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IRLU3410PBF Datasheet

  • IRLU3410PBF

  • HEXFET㈢ Power MOSFET

  • 11頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

PD - 95087A
IRLR/U3410PbF
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l
Logic Level Gate Drive
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRLR3410)
Straight Lead (IRLU3410)
Advanced Process Technology
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
HEXFET
廬
Power MOSFET
D
V
DSS
= 100V
R
DS(on)
= 0.105鈩?/div>
G
S
I
D
= 17A
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest possible on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient device for use in a wide
variety of applications.
The D-PAK is designed for surface mounting using
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
The straight lead version (IRFU series) is for through-
hole mounting applications. Power dissipation levels
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount
applications.
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛聟
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy聜聟
Avalanche Current聛聟
Repetitive Avalanche Energy聛聟
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
D-PAK
TO-252AA
I-PAK
TO-251AA
Absolute Maximum Ratings
Max.
17
12
60
79
0.53
鹵 16
150
9.0
7.9
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount) **
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.9
50
110
Units
擄C/W
www.irf.com
1
12/7/04

IRLU3410PBF 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 100V

  • 17A

  • 105 毫歐 @ 10A，10V

  • 2V @ 250µA

  • 34nC @ 5V

  • 800pF @ 25V

  • 79W

  • 通孔

  • TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB

  • I-Pak

  • 管件

  • *IRLU3410PBF

IRLU3410PBF相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4.6A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | T...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.9A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF

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