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IRLU110A Datasheet

  • IRLU110A

  • ADVANCED POWER MOSFET

  • 9頁

  • FAIRCHILD

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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
FEATURES
鈾?/div>
Avalanche Rugged Technology
鈾?/div>
Rugged Gate Oxide Technology
鈾?/div>
Lower Input Capacitance
鈾?/div>
Improved Gate Charge
鈾?/div>
Extended Safe Operating Area
鈾?/div>
Lower Leakage Current: 10碌A(chǔ) (Max.) @ V
DS
= 100V
鈾?/div>
Lower R
DS(ON)
: 0.336鈩?(Typ.)
IRLR/U110A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.44鈩?/div>
I
D
= 4.7 A
D-PAK
2
1
3
1
I-PAK
2
3
1. Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25擄C)
Continuous Drain Current (T
C
=100擄C)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
A
=25擄C) *
Total Power Dissipation (T
C
=25擄C)
Linear Derating Factor
T
J
, T
STG
T
L
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8
from case for 5-seconds
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
Value
100
4.7
3
16
鹵20
58
4.7
2.2
6.5
2.5
22
0.18
- 55 to +150
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/擄C
擄C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient *
Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
--
Max.
5.6
50
110
擄C/W
Units
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation
1

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  • 型號(hào)
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  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4.6A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | T...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.9A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF

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