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IRLS510A Datasheet

  • IRLS510A

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
n
Logic-Level Gate Drive
n
Avalanche Rugged Technology
n
Rugged Gate Oxide Technology
n
Lower Input Capacitance
n
Improved Gate Charge
n
Extended Safe Operating Area
n
Lower Leakage Current : 10
碌
A (Max.) @ V
DS
= 100V
n
Lower R
DS(ON)
: 0.336
鈩?/div>
(Typ.)
IRLS510A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.44
鈩?/div>
I
D
= 4.5 A
TO-220F
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25 C)
Continuous Drain Current (T
C
=100 C )
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25 C )
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8錛?from case for 5-seconds
o
2
O
1
O
1
O
3
O
o
o
Value
100
4.5
3.1
1
O
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
C
o
20
+
20
_
54
4.5
2.3
6.5
23
0.15
- 55 to +175
o
C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
6.5
62.5
Units
o
C/W
Rev. A

IRLS510A 產(chǎn)品屬性

  • High Voltage Switches for Power Processing

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 100V

  • 4.5A

  • 440 毫歐 @ 2.25A，5V

  • 2V @ 250µA

  • 8nC @ 5V

  • 235pF @ 25V

  • 23W

  • 通孔

  • TO-220-3 整包

  • TO-220F

  • 管件

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