音影先锋亚洲天堂网|电影世界尽头的爱完整版播放|国产 熟女 91|高清无码免费观看欧美日韩|韩国一区二区三区黄色录像|美女亚洲加勒比在线|亚洲综合网 开心五月|7x成人在线入口|成人网站免费日韩毛片区|国产黄片?一级?二级?三级

IRLR8503 Datasheet

  • IRLR8503

  • HEXFET MOSFET for DC-DC Converters

  • 104.19KB

  • 8頁

  • IRF

掃碼查看芯片數(shù)據(jù)手冊

上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

PD-93839A
IRLR8503
IRLR8503
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
N-Channel Application-Specific MOSFET
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Low Conduction Losses
Minimizes Parallel MOSFETs for high current
applications
HEXFET
MOSFET for DC-DC Converters
D
Description
This new device employs advanced HEXFET Power
MOSFET technology to achieve very low on-resistance.
The reduced conduction losses makes it ideal for high
efficiency DC-DC converters that power the latest
generation of microprocessors.
The IRLR8503 has been optimized and is 100% tested for
all parameters that are critical in synchronous buck
converters including R
DS(on)
, gate charge and Cdv/dt-
induced turn-on immunity. The IRLR8503 offers an
extremely low combination of Q
sw
& R
DS(on)
for reduced
losses in control FET applications.
The package is designed for vapor phase, infra-red,
convection, or wave soldering techniques. Power
dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB
mount application.
G
S
D-Pak
DEVICE RATINGS (MAX. Values)
IRLR8503
V
DS
R
DS
(on)
Q
G
Q
sw
Q
oss
30V
18 m鈩?/div>
20 nC
8 nC
29.5 nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain or Source
Current (V
GS
鈮?/div>
10V)U
Pulsed Drain CurrentQ
Power DissipationU
T
C
= 25擄C
T
C
= 90擄C
Junction & Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed source Current
Q
Thermal Resistance
Parameter
Maximum Junction-to-AmbientS
Maximum Junction-to-Lead
Symbol
R
胃JA
R
胃JL
Max.
50
2.0
Units
擄C/W
擄C/W
T
J
, T
STG
I
S
I
SM
T
C
= 25擄C
T
C
= 90擄C
I
DM
P
D
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
IRLR8503
30
鹵20
44
32
196
62
30
鈥?5 to 150
15
196
擄C
A
W
A
Units
V
www.irf.com
1
12/21/00

IRLR8503 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 44A

  • 16 毫歐 @ 15A,10V

  • 3V @ 250µA

  • 20nC @ 5V

  • 1650pF @ 25V

  • 62W

  • 表面貼裝

  • TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

  • D-Pak

  • 管件

  • *IRLR8503

IRLR8503相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTA...
    IRF
  • 英文版
    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  • 英文版
    5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTA...
    IRF [Inter...
  • 英文版
    POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | T...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.7A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.9A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    ADVANCED POWER MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    ADVANCED POWER MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.5A I(D) ...
    ETC

掃碼下載APP,
一鍵連接廣大的電子世界。

在線人工客服

買家服務(wù):
賣家服務(wù):
技術(shù)客服:

0571-85317607

網(wǎng)站技術(shù)支持

13606545031

客服在線時間周一至周五
9:00-17:30

關(guān)注官方微信號,
第一時間獲取資訊。

建議反饋

聯(lián)系人:

聯(lián)系方式:

按住滑塊,拖拽到最右邊
>>
感謝您向阿庫提出的寶貴意見,您的參與是維庫提升服務(wù)的動力!意見一經(jīng)采納,將有感恩紅包奉上哦!