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IRLR3705Z Datasheet

  • IRLR3705Z

  • Specifically designed for Automotive applications,this HEXFE...

  • 287.08KB

  • 11頁

  • IRF

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PD - 96896
AUTOMOTIVE MOSFET
Features
Logic Level
l
Advanced Process Technology
l
Ultra Low On-Resistance
l
175擄C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l
IRLR3705Z
IRLU3705Z
HEXFET
廬
Power MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS(on)
= 8.0m鈩?/div>
Description
Specifically designed for Automotive applications,
this HEXFET
廬
Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. Additional features
of this design are a 175擄C junction operating
temperature, fast switching speed and improved
repetitive avalanche rating . These features com-
bine to make this design an extremely efficient and
reliable device for use in Automotive applications
and a wide variety of other applications.
G
S
I
D
= 42A
D-Pak
IRLR3705Z
Max.
89
63
42
360
130
0.88
鹵 16
I-Pak
IRLU3705Z
Units
A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Silicon Limited)
I
D
@ T
C
= 100擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Package Limited)
Pulsed Drain Current
I
DM
聶
P
D
@T
C
= 25擄C Power Dissipation
V
GS
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value
E
AS
(Tested )
I
AR
E
AR
T
J
T
STG
Avalanche Current
脙聶
Repetitive Avalanche Energy
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
d
h
110
190
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 175
g
擄C
300 (1.6mm from case )
10 lbf in (1.1N m)
Thermal Resistance
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
y
y
j
Parameter
Typ.
Max.
1.14
40
110
Units
擄C/W
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Junction-to-Ambient
j
ij
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
HEXFET
廬
is a registered trademark of International Rectifier.
www.irf.com
1
9/29/04

IRLR3705Z 產品屬性

  • 75

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 55V

  • 42A

  • 8 毫歐 @ 42A，10V

  • 3V @ 250µA

  • 66nC @ 5V

  • 2900pF @ 25V

  • 130W

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 管件

  • *IRLR3705Z

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTA...
    IRF
  • 英文版
    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
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    5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTA...
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    IRF
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    POWER MOSFET
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    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.5A I(D) ...
    ETC

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