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IRL630A Datasheet

  • IRL630A

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁(yè)

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
FEATURES
鈾?/div>
Logic-Level Gate Drive
鈾?/div>
Avalanche Rugged Technology
鈾?/div>
Rugged Gate Oxide Technology
鈾?/div>
Lower Input Capacitance
鈾?/div>
Improved Gate Charge
鈾?/div>
Extended Safe Operating Area
鈾?/div>
Lower Leakage Current: 10碌A(chǔ) (Max.) @ V
DS
= 200V
鈾?/div>
Lower R
DS(ON)
: 0.335鈩?(Typ.)
IRL630A
BV
DSS
= 200 V
R
DS(on)
= 0.4鈩?/div>
I
D
= 9 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25擄C)
Continuous Drain Current (T
C
=100擄C)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25擄C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8
from case for 5-seconds
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
Value
200
9
5.7
32
鹵20
54
9
6.9
5
69
0.55
- 55 to +150
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/擄C
擄C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
1.81
--
62.5
擄C/W
Units
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation
1

IRL630A 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門(mén)

  • 200V

  • 9A

  • 400 毫歐 @ 4.5A，5V

  • 2V @ 250µA

  • 27nC @ 5V

  • 755pF @ 25V

  • 69W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.6A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, RdS(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Advanced Power MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
    IRF [Inter...

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