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IRL530A Datasheet

  • IRL530A

  • Advanced Power MOSFET

  • 235.07KB

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
n
Avalanche Rugged Technology
n
Rugged Gate Oxide Technology
n
Lower Input Capacitance
n
Improved Gate Charge
n
Extended Safe Operating Area
n
Lower Leakage Current : 10
渭A
(Max.) @ V
DS
= 100V
n
Lower R
DS(ON)
: 0.101惟 (Typ.)
IRL530A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.12惟
I
D
= 14 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25鈩?
Continuous Drain Current (T
C
=100鈩?
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25鈩?
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8錛?from case for 5-seconds
鈶?/div>
鈶?/div>
鈶?/div>
鈶?/div>
鈶?/div>
Value
100
14
9.9
49
鹵20
261
14
6.2
6.5
62
0.41
- 55 to +175
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/鈩?/div>
鈩?/div>
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
2.41
--
62.5
鈩?W
Units
Rev. B1

IRL530A 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 100V

  • 14A

  • 120 毫歐 @ 7A，5V

  • 2V @ 250µA

  • 24nC @ 5V

  • 755pF @ 25V

  • 62W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

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