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IRL510A Datasheet

  • IRL510A

  • Advanced Power MOSFET

  • 8頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
FEATURES
鈾?/div>
Logic-Level Gate Drive
鈾?/div>
Avalanche Rugged Technology
鈾?/div>
Rugged Gate Oxide Technology
鈾?/div>
Lower Input Capacitance
鈾?/div>
Improved Gate Charge
鈾?/div>
Extended Safe Operating Area
鈾?/div>
Lower Leakage Current: 10碌A (Max.) @ V
DS
= 100V
鈾?/div>
Lower R
DS(ON)
: 0.336鈩?(Typ.)
IRL510A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.44鈩?/div>
I
D
= 5.6 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25擄C)
Continuous Drain Current (T
C
=100擄C)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25擄C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
Value
100
5.6
4.0
20
鹵20
62
5.6
3.7
6.5
37
0.25
- 55 to +175
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
擄C
擄C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
4.1
--
62.5
擄C/W
Units
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation
1

IRL510A 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 100V

  • 5.6A

  • 440 毫歐 @ 2.8A，5V

  • 2V @ 250µA

  • 8nC @ 5V

  • 235pF @ 25V

  • 37W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220

  • 管件

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