IRFZ48VS Datasheet

IC型號：
IRFZ48VS
PDF描述：
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
文件大小：
282.94KB
PDF頁數(shù)：
8頁
芯片廠家：
IRF

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PD - 94051A

IRFZ48VS

HEXFET

廬

Power MOSFET

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175擄C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Optimized for SMPS Applications

DSS

= 60V

DS(on)

= 12m鈩?/div>

= 72A

Description

Advanced HEXFET

廬

Power MOSFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast

switching speed and ruggedized device design that HEXFET power

MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely

efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The D

Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power

capability and the lowest possible on-resistance in any existing

surface mount package. The D

Pak is suitable for high current

applications because of its low internal connection resistance and

can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25擄C

@ T

= 100擄C

= 25擄C

dv/dt

STG

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Pulsed Drain Current

聛

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

聜

Avalanche Current

聛

Repetitive Avalanche Energy

聛

Peak Diode Recovery dv/dt

聝

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

Max.

290

150

1.0

鹵 20

166

5.3

-55 to + 175

300 (1.6mm from case )

10 lbf鈥n (1.1N鈥)

Units

W/擄C

V/ns

擄C

Thermal Resistance

Parameter

胃JC

胃CS

胃JA

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

Typ.

鈥撯€撯€?/div>

0.50

鈥撯€撯€?/div>

Max.

1.0

鈥撯€撯€?/div>

Units

擄C/W

www.irf.com

5/18/01

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
72A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫歐 @ 43A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1985pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRFZ48VS

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型號

版本

描述

廠商

下載
IRFZ10

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 7.2A I(D) |...

ETC

IRFZ10
IRFZ10

英文版

HEXFETR POWER MOSFET

IRF [Inter...

IRFZ10
IRFZ12

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.9A I(D) |...

ETC

IRFZ12
IRFZ14

英文版

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRFZ14
IRFZ14

英文版

HEXFET Power MOSFET

IRF [Inter...

IRFZ14
IRFZ15

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.3A I(D) |...

ETC

IRFZ15
IRFZ20

英文版

HEXFET TRANSISTORS

IRF

IRFZ20
IRFZ20

英文版

HEXFET TRANSISTORS

IRF [Inter...

IRFZ20
IRFZ22

英文版

HEXFET TRANSISTORS

IRF

IRFZ22
IRFZ22

英文版

HEXFET TRANSISTORS

IRF [Inter...

IRFZ22
IRFZ24

英文版

(166.12 k)

ETC

IRFZ24
IRFZ24

英文版

HEXFET? POWER MOSFET

IRFZ24
IRFZ25

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...

ETC

IRFZ25
IRFZ30

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | ...

ETC

IRFZ30
IRFZ32

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...

ETC

IRFZ32
IRFZ34

英文版

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)

IRF

IRFZ34
IRFZ34

英文版

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)

IRF [Inter...

IRFZ34
IRFZ35

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...

ETC

IRFZ35
IRFZ40

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRFZ40
IRFZ40

英文版

Power Field Effect Transistors

IRFZ40

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