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IRFZ44R Datasheet

  • IRFZ44R

  • Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)

  • 155.45KB

  • 8頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 93956
IRFZ44R
HEXFET
廬
Power MOSFET
Advanced Process Technology
l
Ultra Low On-Resistance
l
Dynamic dv/dt Rating
l
175擄C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
Fully Avalanche Rated
l
Drop in Replacement of the IRFZ44
for Linear/Audio Applications
Description
l
D
V
DSS
= 60V
R
DS(on)
= 0.028鈩?/div>
G
S
I
D
= 50*A
Advanced HEXFET
廬
Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized device
design that HEXFET power MOSFETs are well known for,
provides the designer with an extremely efficient and reliable
device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-
industrial applications at power dissipation levels to
approximately 50 watts. The low thermal resistance and low
package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance
throughout the industry.
TO-220AB
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
聜
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Max.
50*
36
200
150
1.0
鹵20
100
4.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf鈥n (1.1 N鈥)
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.0
鈥撯€撯€?/div>
62
Units
擄C/W
www.irf.com
1
8/24/00

IRFZ44R 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 60V

  • 50A

  • 28 毫歐 @ 31A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 67nC @ 10V

  • 1900pF @ 25V

  • 150W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRFZ44R

IRFZ44R相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 7.2A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFETR POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 5.9A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.3A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF [Inter...
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF [Inter...
  • 英文版
    (166.12 k)
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? POWER MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
    IRF [Inter...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    Power Field Effect Transistors
    MOTOROLA

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