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IRFY9140C Datasheet

  • IRFY9140C

  • P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS

  • 2頁

  • SEME-LAB

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IRFY9140C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
10.41 (0.410)
10.67 (0.420)
4.83 (0.190)
5.08 (0.200)
0.89 (0.035)
1.14 (0.045)
P鈥揅HANNEL
POWER MOSFET
FOR HI鈥揜EL
APPLICATIONS
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
16.38 (0.645)
16.89 (0.665)
13.38 (0.527)
13.64 (0.537)
3.56 (0.140)
Dia.
3.81 (0.150)
1 2 3
12.07 (0.500)
19.05 (0.750)
-100V
-12A
鈩?/div>
0.21鈩?/div>
10.41 (0.410)
10.92 (0.430)
0.64 (0.025)
Dia.
0.89 (0.035)
2.54 (0.100)
BSC
3.05 (0.120)
BSC
鈥?HERMETICALLY SEALED TO鈥?57AA
METAL PACKAGE
鈥?SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
鈥?LIGHTWEIGHT
鈥?SCREENING OPTIONS AVAILABLE
鈥?ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
TO鈥?57AA 鈥?Metal Package
Pad 1 鈥?Gate
Pad 2 鈥?Drain
Pad 3 鈥?Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
R
胃JC
R
胃JA
Gate 鈥?Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25擄C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100擄C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25擄C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient
鹵20V
-12A
-8A
-48A
60W
0.48W/擄C
鈥?5 to 150擄C
2.1擄C/W max.
80擄C/W max.
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95

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    N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
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    N-Channel
    ETC
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    N-Channel
    ETC
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    N-Channel
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.3A I(D) ...
    ETC
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    N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Pack...
    SEME-LAB [...
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    N?CHANNEL POWER MOSFET FOR HI?REL APPLICATIONS
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