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IRFY9130 Datasheet

  • IRFY9130

  • P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS

  • 2頁

  • SEME-LAB

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IRFY9130
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
4.70
5.00
0.70
0.90
3.56
Dia.
3.81
10.41
10.67
P鈥揅HANNEL
POWER MOSFET
FOR HI鈥揜EL
APPLICATIONS
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
FEATURES
0.89
1.14
16.38
16.89
13.39
13.64
1 2 3
12.70
19.05
-100V
-9.3A
鈩?/div>
0.31鈩?/div>
10.41
10.92
2.54
BSC
2.65
2.75
鈥?HERMETICALLY SEALED TO鈥?20 METAL
PACKAGE
鈥?SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
TO鈥?20M 鈥?Metal Package
Pad 1 鈥?Gate
Pad 2 鈥?Drain
Pad 3 鈥?Source
鈥?LIGHTWEIGHT
鈥?SCREENING OPTIONS AVAILABLE
鈥?ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
R
胃JC
R
胃JA
Gate 鈥?Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25擄C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100擄C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25擄C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to Ambient
鹵20V
-9.3A
-5.8A
-37A
45W
0.36W/擄C
鈥?5 to 150擄C
2.8擄C/W max.
80擄C/W max.
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 4/97

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    N-Channel
    ETC
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    ETC
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    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.3A I(D) ...
    ETC
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    N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Pack...
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    N?CHANNEL POWER MOSFET FOR HI?REL APPLICATIONS
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