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IRFU3303 Datasheet

  • IRFU3303

  • HEXFET Power MOSFET

  • 10頁

  • IRF

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PD - 9.1642A
IRFR/U3303
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
l
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRFR3303)
Straight Lead (IRFU3033)
Advanced Process Technology
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
D
V
DSS
= 30V
R
DS(on)
= 0.031鈩?/div>
G
I
D
= 33A聟
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are
possible in typical surface mount applications.
D -P a k
T O -2 52 A A
I-P a k
TO -2 5 1 A A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy聜
Avalanche Current聛
Repetitive Avalanche Energy聛
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
33聟
21聟
120
57
0.45
鹵 20
95
18
5.7
5.0
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)**
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
2.2
50
110
Units
擄C/W
8/25/97

IRFU3303 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 30V

  • 33A

  • 31 毫歐 @ 18A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 29nC @ 10V

  • 750pF @ 25V

  • 57W

  • 通孔

  • TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

  • I-Pak

  • 管件

  • *IRFU3303

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL

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