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IRFSL3207 Datasheet

  • IRFSL3207

  • HEXFET Power MOSFET

  • 11頁

  • IRF

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PD - 96893A
IRFB3207
IRFS3207
IRFSL3207
Applications
l
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
l
Uninterruptible Power Supply
l
High Speed Power Switching
l
Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits
l
Worldwide Best R
DS(on)
in TO-220
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
l
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
G
S
HEXFET
廬
Power MOSFET
D
V
DSS
R
DS(on)
typ.
max.
I
D
75V
3.6m
:
4.5m
:
180A
G DS
TO-220AB
IRFB3207
G DS
D
2
Pak
IRFS3207
G DS
TO-262
IRFSL3207
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dV/dt
T
J
T
STG
Parameter
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
d
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
f
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Max.
180c
130c
720
330
2.2
鹵 20
5.8
-55 to + 175
300
10lbxin (1.1Nxm)
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Avalanche Characteristics
E
AS (Thermally limited)
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
e
Avalanche Current
c
Repetitive Avalanche Energy
g
910
See Fig. 14, 15, 16a, 16b,
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
R
胃JA
Parameter
Junction-to-Case
k
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
Junction-to-Ambient, TO-220
k
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D Pak
jk
2
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.45
鈥撯€撯€?/div>
62
40
Units
擄C/W
www.irf.com
1
11/3/04

IRFSL3207 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 75V

  • 180A

  • 4.5 毫歐 @ 75A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 260nC @ 10V

  • 7600pF @ 50V

  • 330W

  • 通孔

  • TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

  • TO-262

  • 管件

  • *IRFSL3207

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  • 型號
    版本
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    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19.4A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19.4A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27.7A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 820MA I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12.5A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 10.2A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD
  • 英文版
    200V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20.7A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D)...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.5A I(D) ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5.5A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    500V N-Channel MOSFET
    FAIRCHILD

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