IRFS38N20DPBF Datasheet

IC型號：
IRFS38N20DPBF
PDF描述：
HEXFET Power MOSFET
文件大?。?/label>
716.45KB
PDF頁數(shù)：
11頁
芯片廠家：
IRF

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PROVISIONAL

PD - 97001A

SMPS MOSFET

Applications

High frequency DC-DC converters

Plasma Display Panel

Lead-Free

IRFB38N20DPbF

IRFS38N20DPbF

IRFSL38N20DPbF

HEXFET

廬

Power MOSFET

Key Parameters

DS (Avalanche)

min.

DS(ON)

max @ 10V

max

200

260

175

擄C

Benefits

Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

Fully Characterized Capacitance Including

Effective C

OSS

to Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25擄C

@ T

= 100擄C

= 25擄C

dv/dt

STG

TO-220AB

IRFB38N20DPbF

Pak

IRFS38N20DPbF

TO-262

IRFSL38N20DPbF

Max.

38*

27*

180

3.8

230*

1.5*

鹵 30

9.5

-55 to + 175

300 (1.6mm from case )

10 lbf鈥n (1.1N鈥)

Units

W/擄C

V/ns

擄C

Continuous Drain Current, V

@ 10V

聡

Continuous Drain Current, V

@ 10V

聡

Pulsed Drain Current

聛

Power Dissipation

聡

Power Dissipation

聡

Linear Derating Factor

聡

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt

聝

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw聠

Thermal Resistance

Parameter

胃JC

胃CS

胃JA

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

聠

Junction-to-Ambient聠

Junction-to-Ambient聡

Typ.

鈥撯€撯€?/div>

0.50

鈥撯€撯€?/div>

Max.

0.47*

鈥撯€撯€?/div>

Units

擄C/W

* R

胃JC

(end of life) for D

Pak and TO-262 = 0.50擄C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature

cycles from -55 to 150擄C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.

Notes

聛

through

聡

are on page 11

www.irf.com

09/09/05

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
43A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
54 毫歐 @ 26A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
91nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
Q3139980

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型號

版本

描述

廠商

下載
IRFS140

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19.4A I(D)...

ETC

IRFS140
IRFS141

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19.4A I(D) ...

ETC

IRFS141
IRFS150

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27.7A I(D)...

ETC

IRFS150
IRFS151

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) ...

ETC

IRFS151
IRFS1Z0

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 820MA I(D)...

ETC

IRFS1Z0
IRFS1Z3

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) ...

ETC

IRFS1Z3
IRFS240

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D)...

ETC

IRFS240
IRFS241

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12.5A I(D)...

ETC

IRFS241
IRFS244

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 10.2A I(D)...

ETC

IRFS244
IRFS250

英文版

200V N-Channel MOSFET

FAIRCHILD

IRFS250
IRFS250

英文版

200V N-Channel MOSFET

FAIRCHILD ...

IRFS250
IRFS251

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20.7A I(D)...

ETC

IRFS251
IRFS254

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) |...

ETC

IRFS254
IRFS340

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) ...

ETC

IRFS340
IRFS341

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) ...

ETC

IRFS341
IRFS350

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D)...

ETC

IRFS350
IRFS351

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D)...

ETC

IRFS351
IRFS440

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.5A I(D) ...

ETC

IRFS440
IRFS441

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5.5A I(D) ...

ETC

IRFS441
IRFS450

英文版

500V N-Channel MOSFET

FAIRCHILD

IRFS450

IRFS38N20DPBF Datasheet

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