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IRFR430A Datasheet

  • IRFR430A

  • 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

  • 112.95KB

  • 10頁

  • ETC

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PD - 94356A
SMPS MOSFET
IRFR430A
IRFU430A
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptible Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective C
OSS
specified (See AN 1001)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
V
DSS
500V
R
DS
(on) max
1.7鈩?/div>
I
D
5.0A
D-Pak
IRFR430A
I-Pak
IRFU430A
Max.
5.0
3.2
20
110
0.91
鹵 30
3.0
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
Avalanche Characteristics
Parameter
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy聜
Avalanche Current聛
Repetitive Avalanche Energy聛
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
130
5.0
11
Units
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.1
鈥撯€撯€?/div>
62
Units
擄C/W
www.irf.com
1
02/26/002

IRFR430A 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 500 V

  • +/- 30 V

  • 5 A

  • 1.7 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • DPAK

  • Tube

  • 16 ns

  • - 55 C

  • 110 W

  • 27 ns

  • 3000

  • 17 ns

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
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    SAMSUNG [S...
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