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IRFR3410 Datasheet

  • IRFR3410

  • Power MOSFET

  • 140.89KB

  • 10頁

  • IRF

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PD - 94505
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
IRFR3410
IRFU3410
I
D
31A
聠
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
39m鈩?/div>
D-Pak
IRFR3410
I-Pak
IRFU3410
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
A
= 25擄C
dv/dt
T
J
T
STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current聛
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
100
鹵 20
31聠
22
125
110
3.0
0.71
15
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
V
A
W
mW擄C
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.4
40
110
Units
擄C/W
Notes
聛
through
聠
are on page 10
www.irf.com
1
9/23/02

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