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IRFR2307Z Datasheet

  • IRFR2307Z

  • AUTOMOTIVE MOSFET

  • 301.31KB

  • 11頁

  • IRF

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PD - 96910
AUTOMOTIVE MOSFET
Features
Advanced Process Technology
l
Ultra Low On-Resistance
l
175擄C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l
IRFR2307Z
IRFU2307Z
HEXFET
廬
Power MOSFET
D
V
DSS
= 75V
R
DS(on)
= 16m鈩?/div>
Description
Specifically designed for Automotive applications,
this HEXFET
廬
Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. Additional features
of this design are a 175擄C junction operating
temperature, fast switching speed and improved
repetitive avalanche rating . These features com-
bine to make this design an extremely efficient and
reliable device for use in Automotive applications
and a wide variety of other applications.
G
S
I
D
= 42A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Silicon Limited)
I
D
@ T
C
= 100擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Package Limited)
Pulsed Drain Current
I
DM
D-Pak
IRFR2307Z
Max.
53
38
42
210
110
0.70
鹵 20
I-Pak
IRFU2307Z
Units
A
聶
P
D
@T
C
= 25擄C Power Dissipation
V
GS
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value
E
AS
(Tested )
I
AR
E
AR
T
J
T
STG
Avalanche Current
d
脙聶
h
100
140
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 175
Repetitive Avalanche Energy
Operating Junction and
Storage Temperature Range
g
擄C
300 (1.6mm from case )
10 lbf in (1.1N m)
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
y
y
j
Parameter
Typ.
Max.
1.42
40
110
Units
擄C/W
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Junction-to-Ambient
j
ij
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
HEXFET
廬
is a registered trademark of International Rectifier.
www.irf.com
1
10/20/04

IRFR2307Z 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 75V

  • 42A

  • 16 毫歐 @ 32A，10V

  • 4V @ 100µA

  • 75nC @ 10V

  • 2190pF @ 25V

  • 110W

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 管件

  • *IRFR2307Z

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