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IRFR15N20D Datasheet

  • IRFR15N20D

  • SMPS MOSFET

  • 10頁

  • IRF

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PD - 94245
SMPS MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
IRFR15N20D
IRFU15N20D
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.165鈩?/div>
I
D
17A
D-Pak
IRFR15N20D
I-Pak
IRFU15N20D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation*
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
17
12
68
140
3.0
0.96
鹵 30
8.3
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.04
50
110
Units
擄C/W
Notes
聛
through
聟
are on page 10
www.irf.com
1
7/25/01

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    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A)
    IRF [Internatio...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
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    ETC
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    HEXFETR Power MOSFET
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    ETC
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    ETC
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    HEXFET? Power MOSFET
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    HEXFET? Power MOSFETs

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