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IRFR13N20D Datasheet

  • IRFR13N20D

  • Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

  • 184.79KB

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PD- 93814A
SMPS MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
IRFR13N20D
IRFU13N20D
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.235鈩?/div>
I
D
13A
Benefits
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRFR13N20D
I-Pak
IRFU13N20D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
13
9.2
52
110
0.71
鹵 30
2.2
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Forward Converters
Notes
through
are on page 10
www.irf.com
1
2/14/00

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    SAMSUNG
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
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    IRF
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    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
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    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
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    HEXFETR Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFETR Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | ...
    ETC
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    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFETs

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