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IRFPS40N50L Datasheet

  • IRFPS40N50L

  • Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A)

  • 8頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD- 93923B
SMPS MOSFET
IRFPS40N50L
Applications
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
UninterruptIble Power Supply
V
DSS
R
DS(on)
typ.
I
D
l
High Speed Power Switching
500V
0.087鈩?/div>
46A
l
ZVS and High Frequency Circuit
l
PWM Inverters
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt
Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
l
Low Trr and Soft Diode Recovery
l
High Performance Optimised Anti-parallel Diode
SUPER TO-247AC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
dv/dtPeak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case )
Max.
46
29
180
540
4.3
鹵 30
25
-55 to + 150
300
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Diode Characteristics
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
l
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
聛
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
Forward Turn-On Time
Min. Typ. Max. Units
Conditions
D
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?46
MOSFET symbol
showing the
A
G
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?180
integral reverse
S
p-n junction diode.
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?1.5
V
T
J
= 25擄C, I
S
= 46A, V
GS
= 0V
聞
鈥撯€撯€?170 250
T
J
= 25擄C
I
F
= 46A
ns
鈥撯€撯€?220 330
T
J
= 125擄C
di/dt = 100A/碌s
聞
鈥撯€撯€?705 1060 nC T
J
= 25擄C
鈥撯€撯€?1.3 2.0
碌C
T
J
= 125擄C
鈥撯€撯€?9.0 鈥撯€撯€?/div>
A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
l
Typical SMPS Topologies
Bridge Converters
All Zero Voltage Switching
www.irf.com
1
05/09/01

IRFPS40N50L 產(chǎn)品屬性

  • IRFPS40N50L

  • 500

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 500V

  • 46A

  • 100 毫歐 @ 28A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 380nC @ 10V

  • 8110pF @ 25V

  • 540W

  • 通孔

  • TO-274AA

  • SUPER-247（TO-274AA）

  • 管件

  • *IRFPS40N50L

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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