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IRFPS3810 Datasheet

  • IRFPS3810

  • Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A)

  • 8頁

  • IRF

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PD - 93912A
IRFPS3810
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175擄C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS(on)
= 0.009鈩?/div>
I
D
= 170A聠
Description
The HEXFET
廬
Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to
achieve extremely low on-resistance per silicon area.
This benefit, combined with the fast switching speed
and ruggedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use in
a wide variety of applications.
Super-247鈩?/div>
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy聜
Avalanche Current聛
Repetitive Avalanche Energy聛
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
170聠
120聠
670
580
3.8
鹵 30
1350
100
58
2.3
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.24
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.26
鈥撯€撯€?/div>
40
Units
擄C/W
www.irf.com
1
1/21/02

IRFPS3810 產(chǎn)品屬性

  • 25

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 100V

  • 170A

  • 9 毫歐 @ 100A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 390nC @ 10V

  • 6790pF @ 25V

  • 580W

  • 通孔

  • TO-274AA

  • SUPER-247（TO-274AA）

  • 散裝

  • *IRFPS3810Q1244033

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
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