IRFP9140 Datasheet

IC型號：
IRFP9140
PDF描述：
19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
文件大小：
63.42KB
PDF頁數(shù)：
7頁
芯片廠家：
INTERSIL

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IRFP9140

Data Sheet

July 1999

File Number

2292.4

19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power

MOSFET

This is an advanced power MOSFET designed, tested, and

guaranteed to withstand a speci鏗乪d level of energy in the

breakdown avalanche mode of operation. It is a P-Channel

enhancement mode silicon gate power 鏗乪ld effect transistor

designed for applications such as switching regulators,

switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers

for high power bipolar switching transistors requiring high

speed and low gate drive power. These types can be

operated directly from integrated circuits.

Formerly developmental type TA17521.

Features

鈥?19A, 100V

鈥?r

DS(ON)

= 0.200鈩?/div>

鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated

鈥?SOA is Power Dissipation Limited

鈥?Nanosecond Switching Speeds

鈥?Linear Transfer Characteristics

鈥?High Input Impedance

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

IRFP9140

PACKAGE

TO-247

BRAND

IRFP9140

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

JEDEC STYLE T0-247

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

4-57

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

http://www.intersil.com or 407-727-9207

漏

Intersil Corporation 1999

數(shù)據(jù)列表
IRFP9140
標(biāo)準(zhǔn)包裝
500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
21A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 13A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
61nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 25V
功率 - 最大
180W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
*IRFP9140

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型號

版本

描述

廠商

下載
IRFP040

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...

ETC

IRFP040
IRFP042

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...

ETC

IRFP042
IRFP044

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)

IRF

IRFP044
IRFP044

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)

IRF [Inter...

IRFP044
IRFP045

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...

ETC

IRFP045
IRFP048

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)

IRF

IRFP048
IRFP048

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)

IRF [Inter...

IRFP048
IRFP054

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)

IRF

IRFP054
IRFP054

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)

IRF [Inter...

IRFP054
IRFP064

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)

IRF

IRFP064
IRFP064

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)

IRF [Inter...

IRFP064
IRFP130

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRFP130
IRFP130

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

SAMSUNG [S...

IRFP130
IRFP131

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRFP131
IRFP131

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

SAMSUNG [S...

IRFP131
IRFP132

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRFP132
IRFP132

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

SAMSUNG [S...

IRFP132
IRFP133

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRFP133
IRFP133

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFETS

SAMSUNG [S...

IRFP133
IRFP140

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...

ETC

IRFP140

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