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IRFP460P Datasheet

  • IRFP460P

  • Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)

  • 8頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD-93946A
IRFP460P
l
l
l
l
l
l
l
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Isolated Central Mounting Hole
Fast Switching
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
Solder Plated for Reflowing
HEXFET
廬
Power MOSFET
D
V
DSS
= 500V
R
DS(on)
= 0.27鈩?/div>
G
S
Description
Third Generation HEXFET
廬
s from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, ruggedized device design, low on-resistance
and cost-effectiveness.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial
applications where higher power levels preclude the use
of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to
the earlier TO-218 package because of its isolated
mounting hole. It also provides greater creepage distance
between pins to meet the requirements of most safety
specifications.
The solder plated version of the TO-247 allows the reflow
soldering of the package heatsink to a substrate material.
I
D
= 20A
TO-247AC
Max.
20
13
80
280
2.2
鹵 20
960
20
28
3.5
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
10 lbf鈥n (1.1N鈥)
230 (Time above 183 擄C
should not exceed 100s)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
聜
Avalanche Current
聛
Repetitive Avalanche Energy
聛
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Maximum Reflow Temperature
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
V/ns
擄C
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.24
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.45
鈥撯€撯€?/div>
40
Units
擄C/W
www.irf.com
1
01/17/01

IRFP460P 產(chǎn)品屬性

  • 500

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 500V

  • 20A

  • 270 毫歐 @ 12A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 210nC @ 10V

  • 4200pF @ 25V

  • 280W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247-3

  • 管件

  • *IRFP460P

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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