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IRFP450 Datasheet

  • IRFP450

  • N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO-247 PowerMESH] MOSFET

  • 8頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
IRFP450
N - CHANNEL 500V - 0.33鈩?- 14A - TO-247
PowerMESH鈩?MOSFET
TYPE
IRFP450
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS(on)
< 0.4
鈩?/div>
I
D
14 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.33
鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
3
2
1
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using the
company鈥檚 consolidated strip layout-based MESH
OVERLAY鈩?process. This technology matches
and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT SWITCHING
s
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
s
DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
TO-247
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
t ot
dv/dt(
1
)
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25 C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Derating F actor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage T emperature
Max. O perating Junction Temperature
o
o
o
Value
500
500
鹵
20
14
8.7
56
190
1.5
3.5
-65 to 150
150
(
1
) I
SD
鈮?4
A, di/dt
鈮?/div>
130 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, Tj
鈮?/div>
T
JMAX
Uni t
V
V
V
A
A
A
W
W/ C
V/ ns
o
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
August 1998
1/8

IRFP450 產(chǎn)品屬性

  • 30

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 14A

  • 400 毫歐 @ 8.4A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 150nC @ 10V

  • 2800pF @ 25V

  • 190W

  • 通孔

  • TO-3P-3 整包

  • TO-247AD

  • 管件

  • IRFP450X

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠(chǎng)商
    下載
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    SAMSUNG [S...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
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