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IRFP3703 Datasheet

  • IRFP3703

  • Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0028ohm, Id=210A)

  • 8頁(yè)

  • IRF

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PD - 93917A
SMPS MOSFET
IRFP3703
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Synchronous Rectification
l
Active ORing
Benefits
l
Ultra Low On-Resistance
l
Low Gate Impedance to Reduce Switching
Losses
l
Fully Avalanche Rated
V
DSS
30V
R
DS(on)
max
0.0028鈩?/div>
I
D
210A
聠
TO-247AC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J,
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Junction and Storage Temperature Range
Max.
210
聠
100
聠
1000
230
3.8
1.5
鹵 20
5.0
-55 to + 175
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.24
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.65
鈥撯€撯€?/div>
40
Units
擄C/W
Typical SMPS Topologies
l
l
Forward and Bridge Converters with Synchronous Rectification for Telecom and
Industrial Applications
Offline High Power AC/DC Convertors using Synchronous Rectification
Notes
聛
through
聠
are on page 8
www.irf.com
1
5/18/01

IRFP3703 產(chǎn)品屬性

  • 25

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 30V

  • 210A

  • 2.8 毫歐 @ 76A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 209nC @ 10V

  • 8250pF @ 25V

  • 3.8W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247AC

  • 散裝

  • *IRFP3703

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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