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IRFP350A Datasheet

  • IRFP350A

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
FEATURES
鈾?/div>
Avalanche Rugged Technology
鈾?/div>
Rugged Gate Oxide Technology
鈾?/div>
Lower Input Capacitance
鈾?/div>
Improved Gate Charge
鈾?/div>
Extended Safe Operating Area
鈾?/div>
Lower Leakage Current: 10碌A(chǔ) (Max.) @ V
DS
= 400V
鈾?/div>
Low R
DS(ON)
: 0.254鈩?(Typ.)
1
IRFP350A
BV
DSS
= 400 V
R
DS(on)
= 0.3鈩?/div>
I
D
= 17 A
TO-3P
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25擄C)
Continuous Drain Current (T
C
=100擄C)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25擄C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
Value
400
17
10.8
68
鹵30
1156
17
20.2
4.0
202
1.61
- 55 to +150
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/擄C
擄C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.24
--
Max.
0.62
--
40
擄C/W
Units
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation

IRFP350A 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 400 V

  • +/- 30 V

  • 17 A

  • 0.3 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-3P

  • Tube

  • 32 ns

  • 39 S

  • - 55 C

  • 202 W

  • 22 ns

  • 30

  • 100 ns

  • IRFP350A_NL

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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