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IRFP31N50L Datasheet

  • IRFP31N50L

  • Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)

  • 8頁

  • IRF

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PD - 94081
SMPS MOSFET
IRFP31N50L
Applications
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
UninterruptIble Power Supply
V
DSS
R
DS(on)
typ.
I
D
l
High Speed Power Switching
500V
0.15鈩?/div>
31A
l
ZVS and High Frequency Circuit
l
PWM Inverters
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
l
Low Trr and Soft Diode Recovery
TO-247AC
l
High Performance Optimised Anti-parallel Diode
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case )
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
Max.
31
20
124
460
3.7
鹵 30
19
-55 to + 150
300
10 lbf鈥n (1.1N鈥)
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Diode Characteristics
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
聛
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
Forward Turn-On Time
Min. Typ. Max. Units
Conditions
D
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?31
MOSFET symbol
showing the
A
G
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?124
integral reverse
S
p-n junction diode.
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?1.5
V
T
J
= 25擄C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
聞
鈥撯€撯€?170 250
T
J
= 25擄C
I
F
= 31A
ns
鈥撯€撯€?220 330
T
J
= 125擄C
di/dt = 100A/碌s
聞
鈥撯€撯€?570 860
nC
T
J
= 25擄C
鈥撯€撯€?1.2 1.8
碌C T
J
= 125擄C
鈥撯€撯€?7.9
12
A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Typical SMPS Topologies
l
Bridge Converters
l
All Zero Voltage Switching
www.irf.com
1
05/23/01

IRFP31N50L 產(chǎn)品屬性

  • IRFP31N50L

  • 500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 31A

  • 180 毫歐 @ 19A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 210nC @ 10V

  • 5000pF @ 25V

  • 460W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247-3

  • 管件

  • *IRFP31N50L

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    SAMSUNG
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    SAMSUNG
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    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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