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IRFP260 Datasheet

  • IRFP260

  • Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

  • 2頁

  • IXYS   IXYS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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Standard
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IRFP 260
V
DSS
I
D (cont)
R
DS(on)
= 200 V
=
46 A
= 55 m鈩?/div>
鈩?/div>
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
Test Conditions
T
J
T
J
= 25擄C to 150擄C
= 25擄C to 150擄C; R
GS
= 1 M鈩?/div>
Maximum Ratings
200
200
鹵20
鹵30
46
184
46
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V/ns
W
擄C
擄C
擄C
TO-247 AD
Continuous
Transient
T
C
T
C
T
C
= 25擄C
= 25擄C, pulse width limited by T
JM
= 25擄C
D (TAB)
28
5
280
-55 ... +150
150
-55 ... +150
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
鈮?/div>
I
DM
, di/dt
鈮?/div>
100 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
DSS
,
I
S
T
J
鈮?/div>
150擄C, R
G
= 2
鈩?/div>
T
C
= 25擄C
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
6
300
g
擄C
Features
鈥?International standard package
JEDEC TO-247 AD
鈥?Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
鈥?Rugged polysilicon gate cell structure
鈥?High commutating dv/dt rating
鈥?Fast switching times
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25擄C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
200
2
4
鹵100
T
J
= 25擄C
T
J
= 125擄C
25
250
V
V
nA
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
鈩?/div>
Applications
鈥?Switch-mode and resonant-mode
power supplies
鈥?Motor controls
鈥?Uninterruptible Power Supplies (UPS)
鈥?DC choppers
V
DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
碌A(chǔ)
V
GS
=
鹵20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 200V
V
DS
= 160V
V
GS
= 0 V
Advantages
鈥?Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
鈥?Space savings
鈥?High power density
R
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 28 A
Pulse test, t
鈮?/div>
300
碌s,
duty cycle d
鈮?/div>
2 %
0.055
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
97545(1/98)
漏 2000 IXYS All rights reserved
1-2

IRFP260 產(chǎn)品屬性

  • 30

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 200V

  • 46A

  • 55 毫歐 @ 28A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 230nC @ 10V

  • 3900pF @ 25V

  • 280W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247AD

  • 管件

  • IRFP260X

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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