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IRFP244B Datasheet

  • IRFP244B

  • 250V N-Channel MOSFET

  • 8頁(yè)

  • FAIRCHILD

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IRFP244B
November 2001
IRFP244B
250V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild鈥檚 proprietary,
planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switching DC/DC converter and
switch mode power supplies.
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
16A, 250V, R
DS(on)
= 0.28鈩?@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 47 nC)
Low Crss ( typical 30 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
D
!
鈼?/div>
鈼€
鈻?/div>
鈼?/div>
鈼?/div>
G
!
TO-3P
G DS
IRFP Series
!
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
T
C
= 25擄C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
- Continuous (T
C
= 25擄C)
Drain Current
- Continuous (T
C
= 100擄C)
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
IRFP244B
250
16
10.1
64
鹵
30
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/擄C
擄C
擄C
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T
C
= 25擄C)
480
16
18
5.5
180
1.45
-55 to +150
300
- Derate above 25擄C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
Thermal Characteristics
Symbol
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ
--
0.24
--
Max
0.69
--
40
Units
擄C/W
擄C/W
擄C/W
漏2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
    ETC

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