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IRFP140A Datasheet

  • IRFP140A

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
C
Operating Temperature
Lower Leakage Current : 10
碌
A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.041
鈩?/div>
(Typ.)
螣
IRFP140A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.052
鈩?/div>
I
D
= 31 A
TO-3P
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
C
)
螣
Value
100
31
21.9
1
O
2
O
1
O
1
O
3
O
螣
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
C
螣
Continuous Drain Current (T
C
=100
C
)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
C
)
螣
120
+
20
_
513
31
13.1
6.5
131
0.88
- 55 to +175
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8鈥?from case for 5-seconds
螣
C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃
JC
R
胃
CS
R
胃
JA
Characteristic
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.24
--
Max.
1.14
--
40
螣
Units
C
/W
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation

IRFP140A 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 100 V

  • 31 A

  • 0.052 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-3P

  • Tube

  • 56 ns

  • 20 S

  • - 55 C

  • 131 W

  • 18 ns

  • 30

  • 90 ns

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF
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    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
    IRF [Inter...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    SAMSUNG [S...
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    SAMSUNG
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    SAMSUNG [S...
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    SAMSUNG
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 31A I(D) |...
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