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IRFF120 Datasheet

  • IRFF120

  • 6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET

  • Intersil   Intersil

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IRFF120
Data Sheet
March 1999
File Number
1563.3
6.0A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel
Power MOSFET
This N-Channel enhancement mode silicon gate power 鏗乪ld
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
tested, and guaranteed to withstand a speci鏗乪d level of
energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of
these power MOSFETs are designed for applications such
as switching regulators, switching convertors, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate drive power.
These types can be operated directly from integrated
circuits.
Formerly developmental type TA09594.
Features
鈥?6.0A, 100V
鈥?r
DS(ON)
= 0.300鈩?/div>
鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated
鈥?SOA is Power Dissipation Limited
鈥?Nanosecond Switching Speeds
鈥?Linear Transfer Characteristics
鈥?High Input Impedance
鈥?Related Literature
- TB334, 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards鈥?/div>
Ordering Information
PART NUMBER
IRFF120
PACKAGE
TO-205AF
BRAND
IRFF120
Symbol
D
NOTE: When ordering, use the entire part number.
G
S
Packaging
JEDEC TO-205AF
DRAIN
(CASE)
SOURCE
GATE
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
漏
Intersil Corporation 1999

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