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IRFBL3703 Datasheet

  • IRFBL3703

  • Synchronous Rectification in High Power High Frequency DC/DC...

  • 8頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 93841
SMPS MOSFET
IRFBL3703
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Synchronous Rectification in High
Power High Frequency DC/DC Converters
V
DSS
30V
R
DS(on)
max
0.0025鈩?/div>
I
D
260A
聠
Benefits
l
>1mm lower profile than D
2
Pak
l
Same footprint as D
2
Pak
l
Low Gate Impedance to Reduce Switching
Losses
l
Ultra Low On-Resistance
l
Fully Avalanche Rated
Super-D
2
Pak
TM
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J,
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Junction and Storage Temperature Range
Max.
260
聠
180
聠
1000
300
3.8
2.0
鹵 20
5.0
-55 to + 175
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Typical SMPS Topologies
l
Forward and Bridge Converters with Synchronous Rectification for Telecom and
Industrial Applications
Notes
聛
through
聠
are on page 8
www.irf.com
1
4/5/00

IRFBL3703 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • HEXFET?

  • 管件

  • 停產(chǎn)

  • N 通道

  • MOSFET（金屬氧化物）

  • 30 V

  • 260A（Tc）

  • 7V，10V

  • 2.5 毫歐 @ 76A，10V

  • 4V @ 250μA

  • 209 nC @ 10 V

  • ±20V

  • 8250 pF @ 25 V

  • -

  • 3.8W（Ta），300W（Tc）

  • -

  • 表面貼裝型

  • 超級 D2-封裝

  • 超級 D2-封裝

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
    IRF

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