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IRFB41N15DTRR Datasheet

  • IRFB41N15DTRR

  • Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-E...

  • 260.95KB

  • 12頁(yè)

  • IRF

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PD - 93804B
Applications
l
High frequency DC-DC converters
HEXFET
廬
Power MOSFET
IRFB41N15D
IRFIB41N15D
IRFS41N15D
IRFSL41N15D
V
DSS
R
DS(on)
max
Benefits
l
l
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
150V
0.045
:
I
D
41A
TO-220AB TO-220 FullPak
D
2
Pak
TO-262
IRFB41N15D IRFIB41N15D IRFS41N15D IRFSL41N15D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
C
= 25擄C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
I
D
@ T
C
= 100擄C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Max.
41
29
164
3.1
200
48
1.3
0.32
鹵 30
2.7
-55 to + 175
Units
A
W
c
Power Dissipation, D Pak
Power Dissipation, TO-220
Power Dissipation, Fullpak
Linear Derating Factor, TO-220
Linear Derating Factor, Fullpak
2
W/擄C
V
V/ns
擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
e
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
300 (1.6mm from case )
1.1(10)
N鈥 (lbf鈥n)
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JC
R
胃cs
R
胃JA
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Case, Fullpak
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.75
3.14
鈥撯€撯€?/div>
62
40
65
Units
擄C/W
h
Junction-to-Ambient, D Pak
i
Junction-to-Ambient, TO-220
2
h
Junction-to-Ambient, Fullpak
Notes
聛
through
聡
are on page 12
www.irf.com
1
07/16/03

IRFB41N15DTRR相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

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    版本
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    廠商
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  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
    IRF

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