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IRFB38N20DPBF Datasheet

  • IRFB38N20DPBF

  • HEXFET Power MOSFET

  • 11頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

PD - 95620
SMPS MOSFET
IRFB38N20DPbF
IRFS38N20D
IRFSL38N20D
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
l
TO-220 is available in PbF as Lead-
Free
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.054鈩?/div>
I
D
44A
D
2
Pak
TO-220AB
IRFB38N20DPbF IRFS38N20D
TO-262
IRFSL38N20D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
聡
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw聠
Max.
44
32
180
3.8
320
2.1
鹵 30
9.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf鈥n (1.1N鈥)
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
R
胃JA
Notes
聛
through
聡
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
聠
Junction-to-Ambient聠
Junction-to-Ambient聡
are on page 11
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.47
鈥撯€撯€?/div>
62
40
Units
擄C/W
www.irf.com
1
8/10/04

IRFB38N20DPBF 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 200V

  • 43A

  • 54 毫歐 @ 26A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 91nC @ 10V

  • 2900pF @ 25V

  • 3.8W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRFB38N20DPBF

IRFB38N20DPBF相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
    IRF

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