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IRF9910 Datasheet

  • IRF9910

  • Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, gra...

  • 10頁

  • IRF

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PD - 95869
IRF9910
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Dual SO-8 MOSFET for POL
converters in desktop, servers,
graphics cards, game consoles
and set-top box
V
DSS
20V
Q1 13.4m
:
@V
GS
= 10V
Q2 9.3m
:
@V
GS
= 10V
R
DS(on)
max
I
D
10A
12A
Benefits
l
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Low Gate Charge
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l
20V V
GS
Max. Gate Rating


6


*


6


*

'


'


'


'

SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
10
8.3
83
2.0
1.3
0.016
-55 to + 150
W/擄C
擄C
Q1 Max.
20
鹵 20
Q2 Max.
Units
V
12
9.9
98
W
A
c
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JL
R
胃JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
20
62.5
Units
擄C/W
fg
Notes
聛
through
聟
are on page 10
www.irf.com
1
04/28/04

IRF9910 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • 2 個 N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 10A，12A

  • 13.4 毫歐 @ 10A，10V

  • 2.55V @ 250µA

  • 11nC @ 4.5V

  • 900pF @ 10V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

  • *IRF9910

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