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IRF8915 Datasheet

  • IRF8915

  • HEXFETPower MOSFET

  • 10頁

  • IRF

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PD - 95858
IRF8915
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
Dual SO-8 MOSFET for POL
converters in desktop, servers,
graphics cards, game consoles
and set-top box
V
DSS
20V
18.3m
:
@V
GS
= 10V
R
DS(on)
max
I
D
8.9A
S1
G1
1
8
7
D1
D1
D2
D2
2
Benefits
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Very Low R
DS(on)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
S2
G2
3
6
4
5
Top View
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Max.
20
鹵 20
8.9
7.1
71
2.0
1.3
0.016
-55 to + 150
Units
V
c
A
W
W/擄C
擄C
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JL
R
胃JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
20
62.5
Units
擄C/W
f
Notes
聛
through
聟
are on page 10
www.irf.com
1
03/31/04

IRF8915 產品屬性

  • 95

  • 分離式半導體產品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • 2 個 N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 20V

  • 8.9A

  • 18.3 毫歐 @ 8.9A，10V

  • 2.5V @ 250µA

  • 7.4nC @ 4.5V

  • 540pF @ 10V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

  • *IRF8915

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
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