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IRF8910PBF Datasheet

  • IRF8910PBF

  • HEXFET Power MOSFET

  • 10頁(yè)

  • IRF

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PD -95673
IRF8910PbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Dual SO-8 MOSFET for POL
converters in desktop, servers,
graphics cards, game consoles
and set-top box
l
V
DSS
20V
13.4m
:
@V
GS
= 10V
1
2
3
4
R
DS(on)
max
I
D
10A
Lead-Free
S1
G1
S2
G2
8
7
6
5
Benefits
l
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l
20V V
GS
Max. Gate Rating
D1
D1
D2
D2
Top View
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Max.
20
鹵 20
10
8.3
82
2.0
1.3
0.016
-55 to + 150
Units
V
c
A
W
W/擄C
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JL
R
胃JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
20
62.5
Units
擄C/W
fg
Notes
聛
through
聟
are on page 10
www.irf.com
1
8/11/04

IRF8910PBF 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • 2 個(gè) N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門(mén)

  • 20V

  • 10A

  • 13.4 毫歐 @ 10A，10V

  • 2.55V @ 250µA

  • 11nC @ 4.5V

  • 960pF @ 10V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

IRF8910PBF相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
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    MOTOROLA
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