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IRF840F Datasheet

  • IRF840F

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k)

  • 10頁

  • ETC

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IRF840/FI
IRF841/FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
TYPE
IRF840
IRF840FI
IRF841
IRF841FI
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
450 V
450 V
R
DS( on)
< 0.85
鈩?/div>
< 0.85
鈩?/div>
< 0.85
鈩?/div>
< 0.85
鈩?/div>
I
D
8A
4.5 A
8A
4.5 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.74
鈩?/div>
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
TO-220
3
1
2
1
2
3
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,
MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR
INDUSTRIAL AND CONSUMER
ENVIRONMENT
ISOWATT220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
840
V
DS
V
D GR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
V
ISO
T
st g
T
j
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (cont.) at T
c
= 25 C
Drain Current (cont.) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Derating Factor
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
o
o
Value
IRF
841
450
450
鹵
20
8
5.1
32
125
1
錚?/div>
-65 to 150
150
8
5.1
32
4.5
2.8
32
40
0.32
2000
4.5
2.8
32
840FI
500
500
841FI
450
450
500
500
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
May 1993
1/10

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA [...
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    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
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    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
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