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IRF830 Datasheet

  • IRF830

  • N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
IRF830
N - CHANNEL 500V - 1.35鈩?- 4.5A - TO-220
PowerMESH鈩?MOSFET
TYPE
IRF830
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS(on)
< 1.5
鈩?/div>
I
D
4.5 A
TYPICAL R
DS(on)
= 1.35
鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
2
3
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using the
company鈥檚 consolidated strip layout-based MESH
OVERLAY鈩?process. This technology matches
and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER
1
TO-220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
t ot
dv/dt(
1
)
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25 C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Derating F actor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage T emperature
Max. O perating Junction Temperature
o
o
o
Value
500
500
鹵
20
4.5
2.9
18
100
0.8
3.5
-65 to 150
150
Uni t
V
V
V
A
A
A
W
W/ C
V/ ns
o
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
(
1
) I
SD
鈮?/div>
4.5A, di/dt
鈮?/div>
75 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, Tj
鈮?/div>
T
JMAX
First Digit of the Datecode Being Z or K Identifies Silicon Characterized in this Datasheet
August 1998
1/8

IRF830 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 500V

  • 4.5A

  • 1.5 歐姆 @ 2.7A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 38nC @ 10V

  • 610pF @ 25V

  • 74W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRF830IRF830IR

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
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    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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