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IRF830A Datasheet

  • IRF830A

  • HEXFET Power MOSFET

  • 141.39KB

  • 8頁(yè)

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

PD- 91878D
SMPS
MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective Coss specified (
See AN 1001)
IRF830A
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
500V
Rds(on) max
1.40鈩?/div>
I
D
5.0A
TO-220AB
GDS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
Max.
5.0
3.2
20
74
0.59
鹵 30
5.3
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
10 lbf鈥n (1.1N鈥)
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Typical SMPS Topologies:
l
l
Two transistor Forward
Half Bridge and Full Bridge
Notes
聛
through
聟
are on page 8
www.irf.com
1
3/20/03

IRF830A 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 5A

  • 1.4 歐姆 @ 3A，10V

  • 4.5V @ 250µA

  • 24nC @ 10V

  • 620pF @ 25V

  • 74W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRF830A

IRF830A相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
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    MOTOROLA
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