IRF820ASTRR Datasheet

IC型號：
IRF820ASTRR
PDF描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) ...
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芯片廠家：
ETC

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PD- 93774A

SMPS MOSFET

Applications

Switch Mode Power Supply (SMPS)

Uninterruptable Power Supply

High speed power switching

Benefits

Low Gate Charge Qg Results in Simple

Drive Requirement

Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

Effective C

OSS

specified (See AN 1001)

IRF820AS

IRF820AL

HEXFET

廬

Power MOSFET

DSS

500V

(on) max

3.0鈩?/div>

2.5A

Pak

IRF820AS

TO-262

IRF820AL

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25擄C

@ T

= 100擄C

= 25擄C

dv/dt

STG

Continuous Drain Current, V

@ 10V聠

Continuous Drain Current, V

@ 10V聠

Pulsed Drain Current

聛聠

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt

聝聠

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

Max.

2.5

1.6

0.4

鹵 30

3.4

-55 to + 150

300 (1.6mm from case )

10 lbf鈥n (1.1N鈥)

Units

W/擄C

V/ns

擄C

Typical SMPS Topologies:

Two Transistor Forward

Half Bridge and Full Bridge

Notes

聛

through

聟

are on page 8

www.irf.com

5/8/00

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
價格
在售
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3 歐姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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IRF82

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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS

IRF82
IRF82

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N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS

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IRF820
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IRF820
IRF820

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N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V

FAIRCHILD

IRF820
IRF820

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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)

IRF

IRF820
IRF820

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IRF820
IRF820

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