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IRF8113 Datasheet

  • IRF8113

  • Power MOSFET

  • 10頁

  • IRF

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PD - 94637A
IRF8113
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
l
Synchronous Rectifier MOSFET for
Isolated DC-DC Converters in Networking
Systems
Benefits
l
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Low Gate Charge
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
V
DSS
R
DS(on)
max
Qg Typ.
24nC
30V 5.6m:@V
GS
= 10V
S
S
S
G
1
8
A
A
D
D
D
D
2
7
3
6
4
5
Top View
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Max.
30
鹵 20
17.2
13.8
135
2.5
1.6
0.02
-55 to + 150
Units
V
f
Power Dissipation
f
Power Dissipation
c
A
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/擄C
擄C
Thermal Resistance
R
胃JL
R
胃JA
g
Junction-to-Ambient
fg
Junction-to-Drain Lead
Parameter
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
20
50
Units
擄C/W
Notes
聛
through
聟
are on page 10
www.irf.com
1
1/5/04

IRF8113 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 17.2A

  • 5.6 毫歐 @ 17.2A，10V

  • 2.2V @ 250µA

  • 36nC @ 4.5V

  • 2910pF @ 15V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

  • *IRF8113

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
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    SAMSUNG
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
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    MOTOROLA
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