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IRF8010 Datasheet

  • IRF8010

  • HEXFET Power MOSFET

  • 495.83KB

  • 8頁(yè)

  • IRF

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PD - 94497
SMPS MOSFET
Applications
High frequency DC-DC converters
UPS and Motor Control
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Typical R
DS(on)
= 12m鈩?/div>
IRF8010
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
15m鈩?/div>
I
D
80A
TO-220AB
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
300 (1.6mm from case )
1.1(10)
N鈥 (lbf鈥n)
Max.
80
57
320
260
1.8
鹵 20
16
-55 to + 175
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.57
鈥撯€撯€?/div>
62
Units
擄C/W
Notes
through
are on page 8
www.irf.com
1
08/23/02

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    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
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    INTERSIL [...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD ...
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    SAMSUNG [S...
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