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IRF7907PBF Datasheet

  • IRF7907PBF

  • HEXFETR Power MOSFET

  • 10頁

  • IRF

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PD - 97066
IRF7907PbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Dual SO-8 MOSFET for POL
Converters in Notebook Computers, Servers,
Graphics Cards, Game Consoles
and Set-Top Box
Benefits
l
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Low Gate Charge
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l
20V V
GS
Max. Gate Rating
l
Improved Body Diode Reverse Recovery
l
100% Tested for R
G
l
Lead-Free
V
DSS
30V
R
DS(on)
max
Q1 16.4m:@V
GS
= 10V
Q2 11.8m:@V
GS
= 10V
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
I
D
9.1A
11A
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
c
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
9.1
7.3
76
2.0
1.3
0.016
-55 to + 150
Q1 Max.
30
鹵 20
Q2 Max.
Units
V
11
8.8
85
2.0
1.3
0.016
W/擄C
擄C
W
A
Thermal Resistance
R
胃JL
R
胃JA
Parameter
Junction-to-Drain Lead
g
Junction-to-Ambient
fg
Q1 Max.
20
62.5
Q2 Max.
20
62.5
Units
擄C/W
www.irf.com
1
1/4/06

IRF7907PBF 產(chǎn)品屬性

  • 95

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 陣列

  • HEXFET®

  • 2 個 N 溝道（雙）

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 9.1A，11A

  • 16.4 毫歐 @ 9.1A，10V

  • 2.35V @ 25µA

  • 10nC @ 4.5V

  • 850pF @ 15V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • 管件

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